我國第三代半導體材料制造設備取得新突破概念股掘金股票頻道金融界

2017年10月24日 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體材料稱(chēng)之為 大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題通過(guò)了技術(shù)驗收。

天科合達牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題

2017年10月26日 近日,863計劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題通過(guò)了技術(shù)驗收。,中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng )新聯(lián)盟.

研究人員發(fā)現低成本生產(chǎn)SiC的工藝電子工程專(zhuān)輯

2017年9月28日 碳化硅(SiC),這種寬能隙的半導體組件可用于打造更優(yōu)質(zhì)的晶體管,取代當今的硅功率晶體管,并與二極管共同搭配,提供溫度、頻率的 

天科合達牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題

2017年10月26日 近日,863計劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題通過(guò)了技術(shù)驗收。,中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng )新聯(lián)盟.

張永輝：連續纖維增強陶瓷基復合材料研制及應用西安交通大學(xué)材料科學(xué)

2018年7月2日 而后講解了超碼科技有限公司所使用的技術(shù)和設備,并簡(jiǎn)單講解了公司所能做出來(lái)的工藝,所能做出來(lái)的產(chǎn)品,以及先進(jìn)的分析檢測設備。 比如張南龍博士生提問(wèn)關(guān)于碳化硅晶須的問(wèn)題,張亞明博士生提問(wèn)的關(guān)于硬度檢測標樣的 

碳化硅 北京世紀金光半導體有限公司

【金光炫技】 "世紀金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 材料劃裂片方案,引進(jìn)國際上先進(jìn)的SiC劃片裂片設備,建立了國內條SiC晶圓劃裂片量產(chǎn)生產(chǎn)線(xiàn)。

碳化硅 北京世紀金光半導體有限公司

【金光炫技】 "世紀金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 材料劃裂片方案,引進(jìn)國際上先進(jìn)的SiC劃片裂片設備,建立了國內條SiC晶圓劃裂片量產(chǎn)生產(chǎn)線(xiàn)。

時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)化基地技術(shù)調試圓滿(mǎn)完成_首頁(yè)_手機端

2017年12月22日 12月10日,時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設備技術(shù)調試完成,標志著(zhù)SiC芯片生產(chǎn)線(xiàn)全線(xiàn)設備、工藝調試圓滿(mǎn)完成,具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件 

功率器件工藝材料雙雄并起：SiC和GaN基礎器件與非網(wǎng)

碳化硅（SiC）俗稱(chēng)金剛砂,為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然 技術(shù)比較困難；工藝裝置特殊要求,技術(shù)標準高,例離子注入,外延設備,激光曝光光 

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破地方要聞區域創(chuàng )新

2018年6月5日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破. 硅（SiC）單晶生長(cháng)設備正在高速運行,碳化硅（SiC）單晶在這100臺設備里"奮力"生長(cháng)。 單晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長(cháng)爐條件下,還需要對生產(chǎn)工藝進(jìn)行設計、調試和優(yōu)化。

英飛凌開(kāi)始批量生產(chǎn)全碳化硅模塊 工藝設備 電子工程世界網(wǎng)

2017年6月28日 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅（SiC）的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX OTCQX:

SFB 管殼式碳化硅換熱器 3V Tech

主頁(yè) > 工藝設備 > 搪玻璃 > 熱交換 > SFB 管殼式碳化硅換熱器 SFB類(lèi)型的外殼和夾套側管板由不銹鋼制成,其擋板由PTFE制成,碳化硅管子和管側的分配器由塘玻璃制成。 碳化硅管道 管道由SaintGobain陶瓷供應的Hexoloy SA碳化硅管道 

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破半導體碳化硅材料_

2018年6月6日 臺碳化硅（SiC）單晶生長(cháng)設備正在高速運行,SiC單晶在這100臺設備里" 粉料和單晶生長(cháng)爐條件下,還需要對生產(chǎn)工藝進(jìn)行設計、調試和優(yōu)化。

我國碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進(jìn)展 國家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)是全球戰略競爭新的制高點(diǎn)。 同時(shí),設備的銷(xiāo)售價(jià)格可控制在同類(lèi)進(jìn)口設備的2/3以下,有力支撐了國內SiC 減薄、切割、磨拋等關(guān)鍵工藝裝備與工藝整合研究,為SiC器件制造整線(xiàn)裝備的 

我國第三代半導體材料制造設備取得新突破 中國日報網(wǎng) 金融頻道

2017年10月24日 尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題通過(guò)了技術(shù)驗收。 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱(chēng)之為 

中車(chē)時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）生產(chǎn)線(xiàn)首批芯片試制成功_首頁(yè)_株洲中

2018年1月30日 時(shí)代電氣半導體事業(yè)部6英寸碳化硅（SiC）生產(chǎn)線(xiàn)是國內首條6英寸SiC 芯片結構設計、高溫離子注入機等50余臺工藝設備和90余項工藝調試, 

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破新華網(wǎng) 新華社

2018年6月6日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破6月5日,在中國電子 臺碳化硅（SiC）單晶生長(cháng)設備正在高速運行,SiC單晶在這100臺設備里"奮力"生長(cháng)。 粉料和單晶生長(cháng)爐條件下,還需要對生產(chǎn)工藝進(jìn)行設計、調試和優(yōu)化。".

玻璃鋼用碳化硅,金蒙專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)16年！

金蒙新材碳化硅耐沖刷、耐腐蝕,玻璃鋼用材料。. 公司研發(fā)部更是根據不同客戶(hù)的工藝設備要求,提供相對應的碳化硅產(chǎn)品,有效保證了合作產(chǎn)業(yè) 

SiC器件定制 BASiC l 基本半導體碳化硅功率器件領(lǐng)軍品牌

完整的4/6寸生產(chǎn)流程線(xiàn),擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的器件生產(chǎn)或部分工藝步驟定制；. ? 全生產(chǎn)流程可控, 

中國首條6英寸SiC芯片生產(chǎn)線(xiàn)完成技術(shù)調試_中國半導體照明網(wǎng)

2017年12月22日 時(shí)代電氣半導體事業(yè)部SiC芯片線(xiàn)已于12月份完成全部工藝能力調試。 一系列高難度、高危險的任務(wù),為SiC工藝設備提供源源不斷、穩定可靠的" 

150mm晶圓時(shí)代已逝？大錯特錯啦！ 晶圓 微迷：專(zhuān)業(yè)MEMS市場(chǎng)調研

2018年7月21日 在GaAs襯底上制造的器件常常以多片晶圓批量式進(jìn)行工藝步驟,這 碳化硅（SiC）應用持續升溫 150mm SiC晶圓制造設備有何特殊之處？

碳化硅材料磨削技術(shù)基礎研究【維普網(wǎng)】倉儲式在線(xiàn)作品出版平臺www

為滿(mǎn)足碳化硅材料的磨削要求,根據碳化硅材料的性能,研究了磨削工藝,并針對磨削中出現的技術(shù)難題,采取 【出處】, 《電子工業(yè)專(zhuān)用設備》2018年第2期 3435頁(yè)共3頁(yè).

公司簡(jiǎn)介 Microcera specializes

寧波密克斯新材料科技有限公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)無(wú)壓燒結碳化硅陶瓷材料。 公司創(chuàng )辦人陳 我們的生產(chǎn)工藝全球。兩種材料都 生產(chǎn)所需的關(guān)鍵設備全部從歐美進(jìn)口,包括大型高溫真空燒結爐,全自動(dòng)機械壓機,等靜壓機,數控磨床等。 我們竭誠為您 

西格里集團SGL CARBON SGL Group

碳/碳化硅是一種復合材料,其將碳纖維結合在陶瓷基料中,并將材料的物理特性發(fā)揮 形狀接近幾何公差的結構部件 高溫應用部件 化學(xué)工藝設備用部件 航空航天 

我國碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進(jìn)展 國家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)是全球戰略競爭新的制高點(diǎn)。 同時(shí),設備的銷(xiāo)售價(jià)格可控制在同類(lèi)進(jìn)口設備的2/3以下,有力支撐了國內SiC 減薄、切割、磨拋等關(guān)鍵工藝裝備與工藝整合研究,為SiC器件制造整線(xiàn)裝備的