凱盛科技蚌埠300MW銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能模組生產(chǎn)線(xiàn)投產(chǎn)綠合島

2017年11月17日 此次投產(chǎn)的一期300MW生產(chǎn)線(xiàn),是國內首條規模的具有德國工業(yè)4.0水平的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能模組生產(chǎn)線(xiàn),預計可實(shí)現年銷(xiāo)售收入超12億元, 

GaN國內外廠(chǎng)家概覽 知乎專(zhuān)欄

2016年9月17日 雖然LDMOS（橫向擴散MOS晶體管）目前仍占據基礎設施和工業(yè)市場(chǎng)的絕大 Silicon 互補型金屬氧化物半導體）生產(chǎn)線(xiàn)上生產(chǎn)8英寸Si（硅）基GaN。

四室公共科技平臺中國科學(xué)院微電子研究所

2011年3月16日 條實(shí)驗性4英寸砷化鎵生產(chǎn)線(xiàn),獨立開(kāi)發(fā)了全套砷化鎵半導體加工工藝。 以三五族化合物中氮化鎵為代表的新材料成為了微電子工業(yè)中的寵兒。

中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)實(shí)現量產(chǎn) OFweek電子工程網(wǎng)

2017年11月11日 英諾賽科（珠海）科技有限公司舉行8英寸硅基氮化鎵通線(xiàn)投產(chǎn)儀式。據悉,這是中國首條實(shí)現量產(chǎn)的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)。 應用：汽車(chē)電子醫療電子消費電子工業(yè)電子安防航空航海及軍用電源管理通信與網(wǎng)絡(luò )測試/測量音視頻及 

國內首條銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線(xiàn)在安徽蚌埠建成投產(chǎn)行業(yè)動(dòng)態(tài)

2018年1月5日 國內首條銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線(xiàn)近日在安徽蚌埠建成投產(chǎn),標志著(zhù)安徽在國際新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展上邁出了重要步伐。 關(guān)鍵詞：太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線(xiàn)新能源產(chǎn)業(yè) 通威太陽(yáng)能：世界首條工業(yè)4.0高效電池生產(chǎn)線(xiàn)在成都投產(chǎn).

集成電路產(chǎn)業(yè)新突破 6英寸碳化硅器件生產(chǎn)線(xiàn)在京成功通線(xiàn)IT人民網(wǎng)

2018年2月6日 2018年2月1日,北京市高精尖項目——6英寸碳化硅器件生產(chǎn)線(xiàn)在北京世紀 國家工業(yè)和信息化部電子信息司、北京市發(fā)展和改革委員會(huì )、北京市 

中國在氮化鎵領(lǐng)域處于什么階段？ 知乎

一系列的榮耀讓他近年獲選為"國防科技工業(yè)有突出貢獻的中青年 . 該公司總經(jīng)理建峰以氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)舉例說(shuō),"先要打破國外壟斷,自己制作 

鎵礦資源需求趨勢分析與中國鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展思考 地球學(xué)報

2017年1月12日 收, 目前工業(yè)上的鎵主要以副產(chǎn)品的形式從鋁土礦生. 產(chǎn)氧化鋁時(shí)的鋁酸鈉循環(huán) .. 鋁生產(chǎn)企業(yè)和鉛鋅冶煉企業(yè)紛紛投資建設鎵生產(chǎn)線(xiàn),. 國內鎵產(chǎn)量猛 

一張圖看懂大陸GaN電力電子和射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈東莞市中鎵半導體科技

2018年3月28日 蘇州晶湛半導體有限公司成立于2012年3月,坐落于江蘇省蘇州工業(yè)園區 代化合物半導體集成電路生產(chǎn)線(xiàn)貫通,該生產(chǎn)線(xiàn)同時(shí)具有砷化鎵、氮化鎵 

公司概況 關(guān)于我們 廈門(mén)市三安集成電路有限公司

工業(yè)項目、廈門(mén)市2015年項目,屬于國家扶持的戰略性新興產(chǎn)業(yè),新建砷化鎵和氮化鎵外延片生產(chǎn)線(xiàn),以及適用于專(zhuān)業(yè)通訊微電子器件市場(chǎng)的砷化鎵高速半導體 

公司概況 關(guān)于我們 廈門(mén)市三安集成電路有限公司

工業(yè)項目、廈門(mén)市2015年項目,屬于國家扶持的戰略性新興產(chǎn)業(yè),新建砷化鎵和氮化鎵外延片生產(chǎn)線(xiàn),以及適用于專(zhuān)業(yè)通訊微電子器件市場(chǎng)的砷化鎵高速半導體 

意法半導體和Leti合作開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵功率轉換技術(shù) STMicroelectronics

1 day ago 同時(shí),意法半導體還將建立一條高品質(zhì)生產(chǎn)線(xiàn),包括GaN / 硅異質(zhì)外延 在讓工業(yè)方案變得更智能、節能和安全的小型化技術(shù)領(lǐng)域,CEA Tech的技術(shù) 

300MW高效銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能模組生產(chǎn)線(xiàn)日前在安徽蚌埠投產(chǎn)

2017年11月13日 300MW高效銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能模組生產(chǎn)線(xiàn)日前在安徽蚌埠投產(chǎn) 領(lǐng)域重要發(fā)展方向,因其弱光性好、溫度系數低,更為適合建筑和工業(yè)美學(xué)要求, 

中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)在珠海投產(chǎn)_要聞_華夏財富網(wǎng)

2017年11月10日 中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)在珠海投產(chǎn)力助國產(chǎn)半導體換道 將廣泛應用于電力電子、新能源、電動(dòng)汽車(chē)、信息與通信和智能工業(yè)等領(lǐng)域。

MACOM：硅基氮化鎵器件更具成本優(yōu)勢 豆瓣

2017年5月1日 MACOM公司的款產(chǎn)品是磁控管,但我們現在要用氮化鎵器件來(lái) 磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù),共有40多條生產(chǎn)線(xiàn),3000多種產(chǎn)品, 

意法半導體和Leti合作開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵功率轉換技術(shù) STMicroelectronics

1 day ago 同時(shí),意法半導體還將建立一條高品質(zhì)生產(chǎn)線(xiàn),包括GaN / 硅異質(zhì)外延 在讓工業(yè)方案變得更智能、節能和安全的小型化技術(shù)領(lǐng)域,CEA Tech的技術(shù) 

國內首條年產(chǎn)300MW銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)品下線(xiàn)上市公司

2017年10月12日 凱盛光伏年產(chǎn)1.5GW銅銦鎵硒太陽(yáng)能薄膜生產(chǎn)線(xiàn)項目以引進(jìn)、消化、吸收、再創(chuàng )新的模式,采用世界進(jìn)制造工藝,以工業(yè)4.0方式實(shí)現銅銦鎵硒 

碳化硅與氮化鎵的優(yōu)點(diǎn)與不足工業(yè)電子與非網(wǎng)

2018年8月16日 碳化硅與氮化鎵均屬于寬禁帶半導體材料,它們具有禁帶寬度大、電子漂移 目前我國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體。 9月18日,國內首條碳化硅智能功率模塊(SiC IPM)生產(chǎn)線(xiàn)在廈門(mén)芯光潤澤 

代半導體材料砷化鎵在新千年的發(fā)展 上海情報服務(wù)平臺

2006年10月26日 情報 材料工業(yè). 代半導體材料砷化鎵在新千年的發(fā)展 美國在1999年成功建成了3條6英寸砷化鎵生產(chǎn)線(xiàn),在砷化鎵生產(chǎn)技術(shù)上 

GaN國內外廠(chǎng)家概覽 知乎專(zhuān)欄

2016年9月17日 雖然LDMOS（橫向擴散MOS晶體管）目前仍占據基礎設施和工業(yè)市場(chǎng)的絕大 Silicon 互補型金屬氧化物半導體）生產(chǎn)線(xiàn)上生產(chǎn)8英寸Si（硅）基GaN。

中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)在珠海投產(chǎn)_中國半導體照明網(wǎng)

2017年11月10日 中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)在珠海投產(chǎn). 放大字體 將廣泛應用于電力電子、新能源、電動(dòng)汽車(chē)、信息與通信和智能工業(yè)等領(lǐng)域。 出席儀式的 

中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)在珠海投產(chǎn)_要聞_華夏財富網(wǎng)

2017年11月10日 中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)在珠海投產(chǎn)力助國產(chǎn)半導體換道 將廣泛應用于電力電子、新能源、電動(dòng)汽車(chē)、信息與通信和智能工業(yè)等領(lǐng)域。

國內首條年產(chǎn)300MW銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)品下線(xiàn)股票頻道

2017年10月12日 凱盛光伏年產(chǎn)1.5GW銅銦鎵硒太陽(yáng)能薄膜生產(chǎn)線(xiàn)項目以引進(jìn)、消化、吸收、再創(chuàng )新的模式,采用世界進(jìn)制造工藝,以工業(yè)4.0方式實(shí)現銅銦鎵硒 

張乃千 蘇州工業(yè)園區新國大研究院

張乃千博士是世界上早研究第三代半導體氮化鎵（GaN）電子器件的人員之一。他1997年 該生產(chǎn)線(xiàn)的建立標志著(zhù)中國電子半導體工業(yè)從代到第三代的跨越。

張乃千 蘇州工業(yè)園區新國大研究院

張乃千博士是世界上早研究第三代半導體氮化鎵（GaN）電子器件的人員之一。他1997年 該生產(chǎn)線(xiàn)的建立標志著(zhù)中國電子半導體工業(yè)從代到第三代的跨越。