線(xiàn)切割用碳化硅新型干法生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)介_(kāi)粉體技術(shù)_粉體圈

針對這些問(wèn)題,國內某些知名企業(yè)從國外引進(jìn)了新型的線(xiàn)切割用碳化硅干法工藝生產(chǎn)線(xiàn)。該生產(chǎn)線(xiàn)的核心設備是高壓輥磨機和在線(xiàn)式粒度控制系統。該生產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)出的 

中國首條6英寸SiC芯片生產(chǎn)線(xiàn)完成技術(shù)調試_中國半導體照明網(wǎng)

2017年12月22日 時(shí)代電氣半導體事業(yè)部SiC芯片線(xiàn)已于12月份完成全部工藝能力調試。 一系列高難度、高危險的任務(wù),為SiC工藝設備提供源源不斷、穩定可靠的" 

我國碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進(jìn)展 國家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)是全球戰略競爭新的制高點(diǎn)。 同時(shí),設備的銷(xiāo)售價(jià)格可控制在同類(lèi)進(jìn)口設備的2/3以下,有力支撐了國內SiC 減薄、切割、磨拋等關(guān)鍵工藝裝備與工藝整合研究,為SiC器件制造整線(xiàn)裝備的 

4米量級高精度SiC非球面反射鏡制造系統 中國科學(xué)院院刊

在張學(xué)軍研究員帶領(lǐng)下,歷經(jīng)8年技術(shù)攻關(guān),研究團隊完成了SiC鏡坯制備、非球面加工檢測、SiC表面改性和反射鏡表面鍍膜的制造設備研制與制造工藝研究,形成了4 

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破半導體碳化硅材料_

2018年6月6日 臺碳化硅（SiC）單晶生長(cháng)設備正在高速運行,SiC單晶在這100臺設備里" 粉料和單晶生長(cháng)爐條件下,還需要對生產(chǎn)工藝進(jìn)行設計、調試和優(yōu)化。

時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)化基地技術(shù)調試圓滿(mǎn)完成_首頁(yè)_手機端

2017年12月22日 12月10日,時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設備技術(shù)調試完成,標志著(zhù)SiC芯片生產(chǎn)線(xiàn)全線(xiàn)設備、工藝調試圓滿(mǎn)完成,具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件 

英飛凌開(kāi)始批量生產(chǎn)全碳化硅模塊 工藝設備 電子工程世界網(wǎng)

2017年6月28日 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅（SiC）的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX OTCQX:

玻璃鋼用碳化硅,金蒙專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)16年！

金蒙新材碳化硅耐沖刷、耐腐蝕,玻璃鋼用材料。. 公司研發(fā)部更是根據不同客戶(hù)的工藝設備要求,提供相對應的碳化硅產(chǎn)品,有效保證了合作產(chǎn)業(yè) 

天科合達牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題

2017年10月26日 近日,863計劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題通過(guò)了技術(shù)驗收。,中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng )新聯(lián)盟.

SFB 管殼式碳化硅換熱器 3V Tech

主頁(yè) > 工藝設備 > 搪玻璃 > 熱交換 > SFB 管殼式碳化硅換熱器 SFB類(lèi)型的外殼和夾套側管板由不銹鋼制成,其擋板由PTFE制成,碳化硅管子和管側的分配器由塘玻璃制成。 碳化硅管道 管道由SaintGobain陶瓷供應的Hexoloy SA碳化硅管道 

天科合達牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題

2017年10月26日 近日,863計劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題通過(guò)了技術(shù)驗收。,中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng )新聯(lián)盟.

碳化硅 北京世紀金光半導體有限公司

【金光炫技】 "世紀金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 材料劃裂片方案,引進(jìn)國際上先進(jìn)的SiC劃片裂片設備,建立了國內條SiC晶圓劃裂片量產(chǎn)生產(chǎn)線(xiàn)。

公司簡(jiǎn)介 Microcera specializes

寧波密克斯新材料科技有限公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)無(wú)壓燒結碳化硅陶瓷材料。 公司創(chuàng )辦人陳 我們的生產(chǎn)工藝全球。兩種材料都 生產(chǎn)所需的關(guān)鍵設備全部從歐美進(jìn)口,包括大型高溫真空燒結爐,全自動(dòng)機械壓機,等靜壓機,數控磨床等。 我們竭誠為您 

半導體科普五半導體材料、工藝和設備 知乎專(zhuān)欄

2018年7月2日 第三代半導體材料有氮化鎵（GaN）,金剛石（也叫鉆石）,碳化硅（SiC,也叫 實(shí)現以上工藝的設備有,氧化爐、光刻機、顯影機、刻蝕機、鍍膜機、注入 

半導體制造設備｜產(chǎn)品信息｜ACCRETECH 東京精密

高剛性研磨盤(pán)是對藍寶石、碳化硅等難磨材料進(jìn)行研磨的設備。 CMP裝置. CMP設備. CMP是在IC 制造工程中晶圓表面平坦化工藝之一環(huán),使用化學(xué)研磨劑、研磨墊 

碳化硅材料磨削技術(shù)基礎研究【維普網(wǎng)】倉儲式在線(xiàn)作品出版平臺www

為滿(mǎn)足碳化硅材料的磨削要求,根據碳化硅材料的性能,研究了磨削工藝,并針對磨削中出現的技術(shù)難題,采取 【出處】, 《電子工業(yè)專(zhuān)用設備》2018年第2期 3435頁(yè)共3頁(yè).

碳化硅(SiC)：歷史與應用 微波基礎知識 微波射頻網(wǎng)

2017年8月10日 硅與碳的合成物是碳化硅(SiC),俗稱(chēng)金剛砂。 碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設備,如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣 幸運的是,生產(chǎn)中使用滲氮工藝可使造成這些接口問(wèn)題的缺陷大大降低。

150mm晶圓時(shí)代已逝？大錯特錯啦！ 晶圓 微迷：專(zhuān)業(yè)MEMS市場(chǎng)調研

2018年7月21日 在GaAs襯底上制造的器件常常以多片晶圓批量式進(jìn)行工藝步驟,這 碳化硅（SiC）應用持續升溫 150mm SiC晶圓制造設備有何特殊之處？

SiC器件定制 BASiC l 基本半導體碳化硅功率器件領(lǐng)軍品牌

完整的4/6寸生產(chǎn)流程線(xiàn),擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的器件生產(chǎn)或部分工藝步驟定制；. ? 全生產(chǎn)流程可控, 

碳化硅 北京世紀金光半導體有限公司

【金光炫技】 "世紀金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 材料劃裂片方案,引進(jìn)國際上先進(jìn)的SiC劃片裂片設備,建立了國內條SiC晶圓劃裂片量產(chǎn)生產(chǎn)線(xiàn)。

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破地方要聞區域創(chuàng )新

2018年6月5日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破. 硅（SiC）單晶生長(cháng)設備正在高速運行,碳化硅（SiC）單晶在這100臺設備里"奮力"生長(cháng)。 單晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長(cháng)爐條件下,還需要對生產(chǎn)工藝進(jìn)行設計、調試和優(yōu)化。

中車(chē)時(shí)代電氣6英寸碳化硅（SiC）生產(chǎn)線(xiàn)首批芯片試制成功_首頁(yè)_株洲中

2018年1月30日 時(shí)代電氣半導體事業(yè)部6英寸碳化硅（SiC）生產(chǎn)線(xiàn)是國內首條6英寸SiC 芯片結構設計、高溫離子注入機等50余臺工藝設備和90余項工藝調試, 

HOLLIASLEC G3 PLC 在SiC（碳化硅） 北京和利時(shí)電機技術(shù)有限公司

根據碳化硅晶體生長(cháng)工藝要求,提供了一種降低成本、增加可靠性的運動(dòng)控制方. 案。該晶體生長(cháng)爐運動(dòng)控制系統的全套硬件設備及軟件設計工作由杭州和利時(shí)自.

全球碳化硅晶片的主要生產(chǎn)商之一 北京天科合達半導體股份有限公司

公司依托于中國科學(xué)院物理所十余年在碳化硅領(lǐng)域的研究成果,集技術(shù)、管理、市場(chǎng)和 全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(huì )材料分會(huì )會(huì )員單位 中關(guān)村國家自主創(chuàng )新 自行研發(fā)了碳化硅晶片加工的關(guān)鍵工藝技術(shù)：針對超硬的碳化硅,選取適當 

中車(chē)時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設備技術(shù)調試完成 電子發(fā)燒友

2018年1月15日 近日,中車(chē)時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設備技術(shù)調試完成,標志著(zhù)SiC芯片生產(chǎn)線(xiàn)全線(xiàn)設備、工藝調試圓滿(mǎn)完成,具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件,