碳化硅元件展妙用汽車(chē)電子效率/功率大增 集微網(wǎng)

汽車(chē)電動(dòng)化趨勢正穩定成長(cháng),因此插電式油電混合車(chē)和全電動(dòng)車(chē)(xEV)需要高效率的功率半導體。相較于傳統硅(Si)芯片,碳化硅(SiC)的優(yōu)點(diǎn)不僅能應用在工業(yè),亦能 

SiC功率模組的特徵: 何謂sic功率元件？ 電子小百科 Electronics Trivia

SiC模組的特徵. 使用大電流的功率模組廣泛採用Si的IGBT與FRD組合之IGBT模組。ROHM引領(lǐng)世界,開(kāi)始販售搭載SiCMOSFET與SiCSBD之功率模組。

SiC功率元件的開(kāi)發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn) 基本知識 電源設計技術(shù)資訊網(wǎng)站ROHM

2017年3月9日 上次說(shuō)明了SiC的物性和SiC功率元件的特徴。SiC功率元件可以達到超越Si功率元件的高耐壓、低ON阻抗、高速動(dòng)作,亦可在更高溫下動(dòng)作。這次我 

1200 V 碳化矽(SiC) 二極體 Rohm DigiKey

2015年7月6日 ROHM 是SiC 技術(shù)的領(lǐng)先製造商,能在高電壓設計中達到更高的效率和更高導熱性。

連續碳化硅長(cháng)絲纖維生產(chǎn)技術(shù)現狀 中國材料進(jìn)展

2014年5月5日 連續碳化硅長(cháng)絲纖維生產(chǎn)的4個(gè)關(guān)鍵技術(shù)工藝過(guò)程包括：有機硅烷小 應性氣氛中高溫熱交聯(lián)結晶化形成終燒碳化硅纖維的高溫熱化學(xué)轉化過(guò)程。

碳化矽MOSFET鎖定三大重點(diǎn)應用領(lǐng)域 EDN Taiwan

2018年8月21日 英飛凌以革命性的碳化矽(SiC)溝槽式技術(shù)推出CoolSiC MOSFET系列,提供高性能、高可靠性、高功率密度且具成本效益的解決方案

元件與模組SiC和GaN功率器件步入快車(chē)道,將帶來(lái)哪些新機遇？ 瀚薪

2016年11月15日 傳統的硅(Silicon Si)功率器件,由於價(jià)格低廉與開(kāi)發(fā)時(shí)間較早,已在各種 頻切換、高溫操作、高功率密度等需求,逐漸帶出碳化硅(Silicon Carbide 

元件與模組SiC和GaN功率器件步入快車(chē)道,將帶來(lái)哪些新機遇？ 瀚薪

2016年11月15日 傳統的硅(Silicon Si)功率器件,由於價(jià)格低廉與開(kāi)發(fā)時(shí)間較早,已在各種 頻切換、高溫操作、高功率密度等需求,逐漸帶出碳化硅(Silicon Carbide 

碳化硅木質(zhì)陶瓷的顯微結構及力學(xué)性能 IngentaConnect

結果表明：采用注漿成型制備的碳化硅木質(zhì)陶瓷力學(xué)性能優(yōu)異,實(shí)測的游離硅含量同 充分,燒結體顯微硬度、彎曲強度、彈性模量和斷裂韌性分別為22.3 GPa、397 

《功率SiC（碳化硅）材料、器件、模組及應用2017版》 超越摩爾市場(chǎng)報告

2017年8月5日 碳化硅（SiC）應用將在2019年迎來(lái)爆發(fā)！ 許多市場(chǎng)正面信號顯示,SiC功率器件的市場(chǎng)應用正在加速. 2016年,Yole曾稱(chēng)"SiC功率半導體市場(chǎng)是確定 

基于碳化硅MOSFET變溫度參數模型的器件建模與仿真驗證《華北電力

【摘要】：碳化硅(SiC)是新型功率半導體材料之一,具有禁帶寬、擊穿電場(chǎng)高、熱導率高、載流子漂移速率高、功率密集度高等諸多優(yōu)點(diǎn)。以SiC材料為基礎的功率半導體 

碳化矽功率半導體 瀚薪科技股份有限公司 關(guān)於瀚薪

瀚薪科技股份有限公司提供碳化矽功率半導體產(chǎn)品服務(wù),為專(zhuān)業(yè)的碳化矽功率半導體製造商, 碳化矽功率半導體供應商及碳化矽功率半導體出口商.

碳化硅磚_百度百科

碳化硅磚是以SiC為主要原料制成的耐火材料。莫氏硬度9。對于酸性熔渣較穩定。含SiC 72%～99%。分為黏土結合、Si3N4結合、Sialon結合、βSiC結合、Si2ON2 

碳化硅薄膜脈沖激光晶化特性研究! 物理學(xué)報

2004年6月6日 采用XeCl 準分子激光對非晶碳化硅（aSiC）薄膜的脈沖激光晶化特性進(jìn)行了研究.通過(guò)原子力顯微鏡（AFM）和. Raman 光譜技術(shù)對退火前后薄膜樣品 

【徵稿】2018功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇學(xué)生

為推廣國內學(xué)術(shù)研究單位投入功率半導體材料及高功率模組電力電子應用相關(guān)研究,將於2018功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇活動(dòng)配合舉辦學(xué)生 

碳化硅MOSFET的Matlab/Simulink建模及其溫度特性評估【維普網(wǎng)

為了更好地評估碳化硅（Silicon carbide,SiC）MOSFET在功率變換裝置中的性能, 針對傳統的SiC MOSFET的建模方法的不足,在Matlab/Simulink環(huán)境中提出了一種 

碳化矽功率半導體 瀚薪科技股份有限公司 關(guān)於瀚薪

瀚薪科技股份有限公司提供碳化矽功率半導體產(chǎn)品服務(wù),為專(zhuān)業(yè)的碳化矽功率半導體製造商, 碳化矽功率半導體供應商及碳化矽功率半導體出口商.

【行業(yè)分享】備受期待的碳化硅功率器件行業(yè)動(dòng)態(tài)ROHM技術(shù)社區

2018年5月30日 碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑為原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱(chēng)碳硅石。

碳化硅（SiC） 日本精密陶瓷株式會(huì )社 日本ファインセラミックス

碳化硅是一種黑色陶瓷,和其他的精密陶瓷相比,在高溫環(huán)境（1000℃以上）中機械強度降低幅度小、耐磨耗性高。 因其強共價(jià)鍵,在各種精密陶瓷材料中硬度、耐 

碳化硅模芯_無(wú)錫易克賽思新材料有限公司 氧化鋁陶瓷

2017年11月21日 氧化鋁 · 氧化鋯 · 碳化硅. 聯(lián)系我們. 無(wú)錫易克賽思新材料有限公司聯(lián)系人：劉經(jīng)理手機： 電話(huà)：0510－ 公司地址：江蘇省宜興 

碳化硅 409212 ChemicalBook

ChemicalBook 為您提供碳化硅(409212)的化學(xué)性質(zhì),熔點(diǎn),沸點(diǎn),密度,分子式,分子量,物理性質(zhì),毒性,結構式,海關(guān)編碼等信息,同時(shí)您還可以瀏覽碳化 

富士混合型SiC 模塊應用手冊 Fuji Electric

在25℃下施加額定電壓時(shí),混合型SiC 模. 塊的漏電流ICES 比Si 模塊的漏電流ICES 要大數千倍,但是在150℃下,該值下降到2 倍左右。SiCSBD 漏電流. 的溫度依存 

碳化硅（SiC） 日本精密陶瓷株式會(huì )社 日本ファインセラミックス

碳化硅是一種黑色陶瓷,和其他的精密陶瓷相比,在高溫環(huán)境（1000℃以上）中機械強度降低幅度小、耐磨耗性高。 因其強共價(jià)鍵,在各種精密陶瓷材料中硬度、耐 

《功率SiC（碳化硅）材料、器件、模組及應用2017版》 超越摩爾市場(chǎng)報告

2017年8月5日 碳化硅（SiC）應用將在2019年迎來(lái)爆發(fā)！ 許多市場(chǎng)正面信號顯示,SiC功率器件的市場(chǎng)應用正在加速. 2016年,Yole曾稱(chēng)"SiC功率半導體市場(chǎng)是確定 

碳化硅SiC陶瓷的燒結工藝簡(jiǎn)述 佳日豐泰

碳化硅陶瓷材料具有高溫強度大,高溫抗氧化性強,耐磨損性能好,熱穩定性,熱彭脹系數小,熱導率大,硬度高,抗熱震和耐化學(xué)腐蝕等優(yōu)良特性。在汽車(chē)、機械化工、