SiC器件定制 BASiC l 基本半導體碳化硅功率器件領(lǐng)軍品牌

根據客戶(hù)的設計要求,整合基本半導體標準工藝模塊,提供完整的器件定制工藝 線(xiàn),擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的 標準化的工藝模塊,包括的碳化硅深溝槽刻蝕,柵氧工藝及各種金屬結工藝；.

上海大革智能科技有限公司打造碳化硅產(chǎn)業(yè)化項目_技術(shù)_SEMI大半導體

2016年11月29日 以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導體電力電子器件制造成套工藝與裝備, 德國、美國、俄羅斯、日本多家企業(yè)的碳化硅長(cháng)晶技術(shù)及設備制造廠(chǎng)家。

碳化硅_百度百科

碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應用范圍 高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專(zhuān)用的碳化硅電爐,其結構由爐底、 

天科合達牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題

2017年10月26日 天科合達牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題 高,尤其是碳化硅單晶爐的結構設計、溫度控制精度、真空度極限值及設備 

中國研制成功世界口徑單體碳化硅反射鏡中新網(wǎng) 中國新聞網(wǎng)

2018年8月21日 中科院長(cháng)春光機所研制成功的直徑4.03米口徑高精度碳化硅非球面反射鏡。 碳化硅表面改性鍍膜的制造設備研制與制造工藝研究,形成了具有自主 

天科合達牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題

2017年10月26日 天科合達牽頭的"大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究"課題 高,尤其是碳化硅單晶爐的結構設計、溫度控制精度、真空度極限值及設備 

我國第三代半導體材料制造設備取得新突破 中國日報網(wǎng) 金融頻道

2017年10月24日 通常,國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱(chēng)之為第三代 方面性能尤為明顯,由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫 缺陷密度的6英寸SiC單晶襯底的制備技術(shù),掌握了相關(guān)外延工藝技術(shù),生長(cháng) 

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破地方要聞區域創(chuàng )新

2018年6月5日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破. 硅（SiC）單晶生長(cháng)設備正在高速運行,碳化硅（SiC）單晶在這100臺設備里"奮力"生長(cháng)。 晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長(cháng)爐條件下,還需要對生產(chǎn)工藝進(jìn)行設計、調試和優(yōu)化。 爐高極限真空、低背景漏率生長(cháng)爐設計制造及小批量生產(chǎn)；他們還突破了高純SiC粉料 

公司簡(jiǎn)介 Microcera specializes

寧波密克斯新材料科技有限公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)無(wú)壓燒結碳化硅陶瓷材料。 公司創(chuàng )辦人陳 我們的生產(chǎn)工藝全球。兩種材料都 生產(chǎn)所需的關(guān)鍵設備全部從歐美進(jìn)口,包括大型高溫真空燒結爐,全自動(dòng)機械壓機,等靜壓機,數控磨床等。 我們竭誠為您 

連續碳化硅長(cháng)絲纖維生產(chǎn)技術(shù)現狀 中國材料進(jìn)展

2014年5月5日 連續碳化硅長(cháng)絲纖維生產(chǎn)的4個(gè)關(guān)鍵技術(shù)工藝過(guò)程包括：有機硅烷小 工藝過(guò)程的技術(shù)關(guān)鍵,才能有效選擇合適的工藝及生產(chǎn)裝備,生產(chǎn)出高強度高模量連續碳化硅長(cháng)絲 給輻照設備和工藝帶來(lái)非?？量痰囊?而且使材料的.

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破新華網(wǎng) 新華社

2018年6月6日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破6月5日,在中國電子科技集團公司研究所（簡(jiǎn)稱(chēng)中國電科二所）生產(chǎn)大樓內,100臺碳化硅（SiC） 

連續碳化硅長(cháng)絲纖維生產(chǎn)技術(shù)現狀 中國材料進(jìn)展

2014年5月5日 連續碳化硅長(cháng)絲纖維生產(chǎn)的4個(gè)關(guān)鍵技術(shù)工藝過(guò)程包括：有機硅烷小 工藝過(guò)程的技術(shù)關(guān)鍵,才能有效選擇合適的工藝及生產(chǎn)裝備,生產(chǎn)出高強度高模量連續碳化硅長(cháng)絲 給輻照設備和工藝帶來(lái)非?？量痰囊?而且使材料的.

超細碳化硅微粉生產(chǎn)過(guò)程中要用到什么設備呢？ 滎陽(yáng)光亞耐材

2018年9月12日 熟悉碳化硅微粉的都知道碳化硅微粉是指利用JZFZ設備來(lái)進(jìn)行超細粉碎分級的微米級碳化硅粉體晶體結構, 黑/綠碳化硅微粉生產(chǎn)工藝及過(guò)程.

碳化硅制作工藝濰坊馳美精細陶瓷有限公司 碳化硅研磨桶

2018年6月22日 由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。 碳化硅制作工藝 高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專(zhuān)用的碳化硅電爐,其結構由爐底、內面鑲有電極 

SIC China 2017 第九屆上海國際工業(yè)陶瓷展覽會(huì )

隊及資源給參展企業(yè)提供技術(shù)答疑、生產(chǎn)工藝及設備升級改造、檢測認證、創(chuàng )業(yè) 磨陶瓷、碳化硅陶瓷、過(guò)慮陶瓷、高技術(shù)陶瓷、陶瓷纖維、陶瓷密封件、納米陶瓷、蜂窩 

我國碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進(jìn)展 國家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)是全球戰略競爭新的制高點(diǎn)。 同時(shí),設備的銷(xiāo)售價(jià)格可控制在同類(lèi)進(jìn)口設備的2/3以下,有力支撐了國內SiC 在中國電科13所、55所、泰科天潤等十余家公司進(jìn)行的器件制造工藝驗證和 

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破新華網(wǎng) 新華社

2018年6月6日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破6月5日,在中國電子科技集團公司研究所（簡(jiǎn)稱(chēng)中國電科二所）生產(chǎn)大樓內,100臺碳化硅（SiC） 

Ferrotec全球 陶瓷產(chǎn)品 Ferrotec全球 Ferrotec Global

設備相關(guān)產(chǎn)品制造過(guò)程中不可或缺的設備 在半導體制造工藝以及其他領(lǐng)域中被廣泛使用并且是具有高強度,高純度,高耐熱性等 氣相沉積碳化硅產(chǎn)品（CVDSiC).

打破技術(shù)壟斷,比亞迪自主研發(fā)碳化硅功率MOS器件 分立器件 半導體

2017年10月19日 用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境下工作,具有極低的 比亞迪微電子團隊通過(guò)不斷的工藝及設計試驗,目前在國內已自主研發(fā)出適合 . 能夠提供SiC產(chǎn)品,后者的功率和設備器件業(yè)務(wù)已經(jīng)獨立為Wolfspeed。

4米量級高精度SiC非球面反射鏡制造系統 中國科學(xué)院院刊

圖1 FSGJ系列非球面制造設備 反射鏡表面鍍膜的制造設備研制與制造工藝研究,形成了4 m量級高精度SiC非球面集成制造平臺, 控制等多項關(guān)鍵技術(shù)及工藝,實(shí)現了大口徑磁控濺射技術(shù)在SiC反射鏡表面改性層及反射膜制備方面的工程化應用。

研究人員發(fā)現低成本生產(chǎn)SiC的工藝電子工程專(zhuān)輯

2017年9月28日 研究人員們將在日前于美國華府舉行的2017年碳化硅及相關(guān)材料國際 PRESiCE工藝可用于降低SiC功率組件的生產(chǎn)成本（來(lái)源：North Carolina 

我國碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進(jìn)展 國家科技部

2018年5月6日 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)是全球戰略競爭新的制高點(diǎn)。 同時(shí),設備的銷(xiāo)售價(jià)格可控制在同類(lèi)進(jìn)口設備的2/3以下,有力支撐了國內SiC 在中國電科13所、55所、泰科天潤等十余家公司進(jìn)行的器件制造工藝驗證和 

全球碳化硅晶片的主要生產(chǎn)商之一 北京天科合達半導體股份有限公司

天科合達公司參展第十二屆歐洲碳化硅及相關(guān)材料會(huì )議（ECSCRM2018） 全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(huì )材料分會(huì )會(huì )員單位 中關(guān)村國家自主創(chuàng )新示范區 自行研發(fā)了碳化硅晶片加工的關(guān)鍵工藝技術(shù)：針對超硬的碳化硅,選取適當種類(lèi)、 

我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破地方要聞區域創(chuàng )新

2018年6月5日 我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破. 硅（SiC）單晶生長(cháng)設備正在高速運行,碳化硅（SiC）單晶在這100臺設備里"奮力"生長(cháng)。 晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長(cháng)爐條件下,還需要對生產(chǎn)工藝進(jìn)行設計、調試和優(yōu)化。 爐高極限真空、低背景漏率生長(cháng)爐設計制造及小批量生產(chǎn)；他們還突破了高純SiC粉料 

碳化硅 北京世紀金光半導體有限公司

【金光炫技】 "世紀金光"碳化硅晶片劃片裂片工藝再添新高！ 裂片方案,引進(jìn)國際上先進(jìn)的SiC劃片裂片設備,建立了國內條SiC晶圓劃裂片量產(chǎn)生產(chǎn)線(xiàn)。 和人才培養,進(jìn)一步提高產(chǎn)品技術(shù)及工藝水平,促進(jìn)成本降低,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程加速上行。