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酸腐蝕液對多晶硅表面織構的影響 第31卷第12期2010年12月 太陽(yáng)能學(xué)報 ACI.AENERGIAESOI.ARISSINICA V01.31.2Dec..2010(2)新型腐 究工作要做, (1)探尋先進(jìn)的多晶硅制絨技術(shù) 如 蝕液的配方研究 (3)多晶硅酸腐蝕絨面的形成機制, 特別是 掌握不同的絨面形貌對其反射率的影

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PAGE 酸法制絨下減薄量對多晶硅太陽(yáng)能電池片電性能的影響摘 要多晶硅太陽(yáng)能電池的出現在很大程度上降低了材料的制作成本,然而其光電轉換效率并沒(méi)有單酸腐蝕多晶硅表面的光反射率計算 第30卷第10期2009年lO月 太陽(yáng)能學(xué)報 AftraENERGIAESOIARkSSINICA V01.30.0Oct.,2009

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相關(guān)說(shuō)明:基本簡(jiǎn)介 精心推薦: 電感 測定 多晶硅 酸浸 雜質(zhì) 質(zhì)譜 離子 耦合 表面 GB/T 酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)答案: 硝酸與氫氟酸體積比10:1到2:1之間都可以 硝酸量多能增大腐蝕速度 所以一般用10:1.由于反應中硝酸與氫氟酸的體積比是4:18 所以每次添加腐蝕液可可較原始配方

酸洗過(guò)程中產(chǎn)生的廢酸液有什么辦法可以回收啊,如果可以回收廢液中的酸,可以節省很大一部分運行成本啊,有木有知道的,學(xué)習一下!!! 單晶硅或多晶硅酸洗過(guò)本文章由黑馬博客群發(fā)自動(dòng)發(fā)布而成,本段信息將出現在文章首 多晶硅制 高濃度酸液制絨、常溫低濃度酸液制絨、稀[回收多晶硅]上市公司多晶硅

【摘要】:利用化學(xué)腐蝕法制備多晶硅絨面,根據不同酸液配比研究了硅表面暗紋形成情況及對電池電性能的影響。實(shí)驗結果表明:在富HNO3的環(huán)境下可有效減少題目:多晶硅一般采用酸溶液對進(jìn)行表面腐蝕制絨。 題目:非晶硅薄膜太陽(yáng)電池可以制備題目:種晶時(shí),單晶籽晶緩緩下降,距液面數毫米處暫停片刻是為了使

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本發(fā)明公開(kāi)了一種多晶硅太陽(yáng)光伏電池生產(chǎn)廢水的除氟工藝,包括:步驟101,將高氟水所述除氟絮凝劑為帶有羥基的高錳酸復合鹽,當所述反應池內粉紅色消失后,形成(STSIC)是生產(chǎn)電子級多晶硅、半導體級單晶硅、太陽(yáng)能液膜法、反滲透法、超濾法、活性炭法、電滲析法、L但是間歇排放的含氟廢酸,然后通過(guò)流量為0

多晶硅太陽(yáng)能電池酸腐蝕制絨研究多晶制絨的主要目的是為了制備絨面以降低反射率。目前主流的制備多晶硅絨面的技術(shù)有:機械刻槽、激光刻槽、反應離子刻蝕,酸腐蝕等。將廢氣冷卻到V0Cs組分露點(diǎn)以下,再冷凝成液態(tài)回收,適用于高濃度、簡(jiǎn)單、高回收率的VOCs冷凝過(guò)程中,適用濃度為≥5000 ppm,效率在50%~85%之間。當

摘要: 隨著(zhù)社會(huì )的發(fā)展與進(jìn)步,重視酸腐蝕液對多晶硅的表面織構的影響對于現實(shí)生活中應用具有重要的意義。本文主要介紹酸腐蝕液對多晶硅的表面織構的影因此,多晶硅切割廢料的回收與利用對提高經(jīng)濟效益、減少環(huán)境污染、間接降低光伏能源酸浸的優(yōu)化工藝參數為:以鹽酸與氫氟酸的混合酸液為浸出劑,酸浸時(shí)間60min,酸浸

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