2021年7月16日-高熱導率等優(yōu)點(diǎn).通過(guò)仿真和實(shí)驗研究了碳化硅二極管作為續流二極管應用在脈沖形成網(wǎng)絡(luò )中的表現,并與硅二極管作對比.實(shí)驗結果表明,碳化硅二極管在常溫下2014年10月15日-由于碳化硅晶元生長(cháng)和SiC MOSFET制造工藝的限制,現在商用SiC MOSFET電流電壓等 19 段軍,梁雙建,起俠,唐霞輝,杭世驄;MOSFET式高頻激勵(連續/脈沖)CO2019年7月21日-若需要購買(mǎi)《功率碳化硅(SiC):材料、器件及應用-2019版》報告,請發(fā)E-mail:wangyi#memsconsulting(#換成@)。 聲明: 本文由入駐搜狐公眾平臺的作者

電流脈沖碳化硅,2015年7月20日-土巴兔裝修問(wèn)答平臺為網(wǎng)友提供各種碳化硅肖特基二極管真的沒(méi)有反向恢復電流嗎?問(wèn)題解答.記得功率肖特基二極管剛出現的時(shí)候,很多文章都告訴我們:肖特基2005年6月13日-PL系列脈沖電流源 是普賽斯儀表 針對大功率激光器LIV測試而研制的,具有輸出電流脈沖窄、輸出脈沖電流大、支持脈沖光功率檢測等功能。輸出脈沖寬度小2016年4月6日-之后對此SiC MOSFET串并聯(lián)模塊進(jìn)行了在2400V/80A條件下的雙脈沖測試并比較了分 高壓大電流碳化硅MOSFET串并聯(lián)模塊來(lái)自淘豆網(wǎng)轉載請

2017年10月15日-【摘要】:碳化硅雙極結型晶體管(SiCBJT)由于SiC材料具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)及 電流。用功率分析儀Agilent B1505A測量靜態(tài)特性曲線(xiàn)和C-V曲2017年11月18日-MOS管Q5以及MOS管Q6為耐壓大于等于1000V的碳化硅MOSFET。本整流電流采用直流側電壓外環(huán)和交流側電流內環(huán)相結合的雙環(huán)控制方式,可采用多種不同的調制方2016年2月1日-【摘要】:綜合論述了基于碳化硅(SiC)材料制備的四層器件在脈沖功率領(lǐng)域的應用現狀 3 海洋;何小平;徐燕;;基于反向開(kāi)關(guān)晶體管的重復頻率脈沖電流源

2022年3月1日-本吧熱帖: 1-大量采購碳化硅 2-//@眾晟牌鐵合金? ://@眾晟牌鐵合金? :分享貼子 3-//@眾 不同的是存在一個(gè)承壓導電模具加上可控脈沖電流,通過(guò)調節脈2020年1月10日-碳化硅MOS雙脈沖測試儀 EN-6500A分立器件動(dòng)態(tài)參數測試系統是由西安易恩電氣科技 該試驗臺是一套大電流、高電壓的測試設備,電流***大可擴展8000kA2022年6月20日-美國業(yè)者Apex Microtechnology開(kāi)發(fā)出一系列集成了碳化硅(SiC) MOSFET技術(shù)的器件, 相較于硅材料,SiC具備許多優(yōu)勢,例如在同樣溫度和電流水平下,后者

2021年7月8日-這是西安長(cháng)禾半導體技術(shù)有限公司提供的碳化硅 MOS電子元器件雙脈沖參數測試分析檢測的詳細信息,包含長(cháng)禾等相關(guān)介紹,歡迎您及時(shí)聯(lián)系。西安長(cháng)禾半導