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已經(jīng)制作好的晶圓在經(jīng)過(guò)化學(xué)腐蝕、機械研磨相結合的方式對晶圓表面進(jìn)行磨拋,實(shí)現表面平坦化。然后再進(jìn)行切片、封裝、檢測做成了一塊完整的芯片。 芯片制造隨著(zhù)集成電路(IC)的快速發(fā)展,對襯底材料硅單晶拋光片表面質(zhì)量的要求越來(lái)越高,化學(xué)機械拋光(CMP)是目前能實(shí)現全局平面化的方法。研究硅片CMP技術(shù)中漿料性

形成PN結,再用氣相沉積加覆保護膜,再經(jīng)過(guò)一種叫做CMP化學(xué)研磨技術(shù),將其打磨平整拋光,讓后續薄膜沉積更加順利,重復上述工藝數十次后,才能將晶體管和上方的電路刻在晶片上面,來(lái)來(lái)回回幾百次,才28、化學(xué)機械研磨法 隨著(zhù)用以隔離之用的場(chǎng)氧化層(FOX),CMOS電晶體,金屬層及介電層等組成IC的各個(gè)結構在芯片上建立以后,芯片的概況也將隨之變得高低凸凹不服坦,致使后續制程變得加倍

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