1 劉盟電子封裝用AlN燒結工藝及機理[D]南昌大學(xué)2011年 2 李保平AlN陶瓷低溫燒結制備與性能研究[D]濟南大學(xué)2009年 4 齊維靖大功率LED氮化鋁陶瓷散熱基板的制備[D作燒結助劑于 ℃下制備陶瓷對陶瓷物相組成、相對密度、微觀(guān)結構幣口熱性能進(jìn)行了表征針對陶瓷燒結過(guò)程中易氧化的問(wèn)題分析了氮化鋁陶瓷在燒結過(guò)程中氧化的機理提出了

(AlN)材料以其優(yōu)良性能成為新一代絕緣散熱基片材料的候選材料[1,2]。然而,由于A(yíng)lN屬于共價(jià)鍵化合物,熔點(diǎn)高,原子自擴散系數小,純相的AlN粉末在通常的燒結溫度下很難燒結采用熱壓燒結工藝,以氮化鋁和玻璃碳為原料、Y2O3作燒結助劑,在氮氣氛下燒結制備AlN玻璃碳復相材料。研究了燒結助劑含量對復相材料的燒結性能、相組成、顯微結構、力

墳硬達嚴紳也騾跌銅藝樣胳起看桔貫偽胳邵郵褥罪酉劑妹灑覓扛開(kāi)群論怠AlN陶瓷AlN陶瓷9燒結方法:反應燒結法常壓燒結法熱壓燒結法等離子體活化燒結法(促進(jìn)AlN燒結致密化· · 陶瓷 & *%%/ 3 #N 3&& ! # 陶瓷基片低溫燒結性能的研究李家科劉欣 (景德鎮陶瓷 燒結助劑對aln陶瓷制備及性能的影響 effec. mgf2添加量與燒結溫度對m go陶瓷性能的

高熱導率的AlN陶瓷和高透光率的Nd:YAG激光透明陶瓷,進(jìn)行了振動(dòng)輔助熱壓燒結實(shí)驗研究,分析了工藝條件對這二種陶瓷燒結以及性能的影響,并討論了振動(dòng)輔助熱壓燒結的機理在5.0 GPa /1400℃/50 min條件下AlN燒結體表現出穿晶斷裂模式將燒結溫度提高到1800℃在A(yíng)lN陶瓷中形成了單相多晶等軸晶粒組織在5.0 GPa/1700℃/125 min條件下AlN陶瓷

采用非氧化物AlN和Re2O3作為復合燒結助劑(Re2O3La2O3與Y2O3)進(jìn)行碳化硅液相燒結得到了致密的燒結體。燒結助劑占原料粉體總質(zhì)量的20%,其中:AlN與(La0.5Y0.5)2O3氮化鋁燒結熱導率 收藏 AlN陶瓷燒結技術(shù)研究進(jìn)展 【摘要】:氮化鋁(AlN)因其具有高熱導率,作為基片材料在電子元器件中得到日益重視。本文主要論述了氮化鋁陶瓷制備過(guò)程

AlN燒結,在熱壓燒結的開(kāi)始階段,納米A1N顆粒作隨機分布(2)通過(guò)溶解一沉淀傳質(zhì),原始AlN顆粒開(kāi)始成核(3)在高的熱壓壓力下,A1N晶核進(jìn)一步長(cháng)大(4)與熱壓方向平行的"棒狀"顆粒生【摘要】:采用微波高溫燒結工藝,制備了致密的AlN陶瓷,并初步探討了微波燒成環(huán)境對燒結體性能的影響。結果表明:利用微波燒結AlN陶瓷,雖然在節能省時(shí)方面效果顯著(zhù),但是微

3 李華平柴廣躍彭文達劉文牛憨笨AlN薄膜覆Al基板的物理特性[J]電子元件與材料2 何秀蘭AlN和BN/AlN復相陶瓷的放電等離子燒結及其組織與性能研究[D]哈爾濱工業(yè)大本文采用 Y_2O_3,CaO為 AlN陶瓷燒結的添加劑,測量了該材料電性能(包括體電阻率,介電常數,介質(zhì)損耗因子)和熱導性能以及這些性能隨溫度變化的關(guān)系。研究了添加量對該材

燒結助劑的選擇和提高熱導率的途徑進(jìn)行了燒結爐腔體內工作支架的設計,放置氮化鋁陶瓷基描述,但很少有對AlN燒結爐溫度均勻性對AlN基片片承燒板的選擇和布局,以及整個(gè)燒【摘要】:利用放電等離子燒結技術(shù)燒結氮化鋁,不加任何添加劑,在 180 0℃的燒結溫度、2 5MPa的壓力下,僅保溫 4min,可達到 99%的理論密度,SEM表明試樣內部晶粒細小

在流動(dòng)N2保護下,對高壓燒結制備的AlN(Y2O3)陶瓷進(jìn)行了熱處理,研究了熱處理對AlN陶瓷顯微組織及導熱性能的影響。結果表明:在970℃熱處理2h后的AlN陶瓷材料與未熱處理曬鰄Si3N4?Al03?Y03?AlN燒結體の熱處理によるYAP相含有量及び燒結體特性の変化山川晃?三宅雅也?石崎幸三*住友電気工業(yè)(株)伊丹研究所,664兵庫県伊丹市昆陽(yáng)北1

AlN燒結,但A1N難以燒結,在很大程度上限制了AIN的應用。放電等離子燒結(SPS)是一種新穎的具有獨特技術(shù)優(yōu)勢的燒結技術(shù),在促進(jìn)AlN燒結致密化和降低制備成本方面具有很大的發(fā)展AlN陶瓷的高壓燒結研究.pdf,第23卷第1期無(wú)機材料學(xué)報V01.23.2008年1月JournalofMaterialsJan.,2008Inorganic文章編號:1000—324X(2008)01—0104—05A1N陶瓷的高壓

【摘要】:探索性地研究了用反應燒結技術(shù)在A(yíng)l_2O_3陶瓷中引入原位生成的納米(或亞微米)級的AlN,制備AlNAl_2O_3納米復合陶瓷,結合衍射儀,微熱分析儀及掃描電鏡研究了其本發(fā)明是原位熱壓燒結工藝合成致密ZrO2/Ti2AlN復合塊體材料。原料組成及成分范圍為:以Ti粉、Al粉、TiN粉的摩爾比為n(Ti)∶n(Al)∶n(TiN)=1∶(0.8～1.4)∶1,ZrO2粉的摻入量